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基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

北方華創(chuàng)“一種腔室清潔方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請(qǐng)光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

芯聯(lián)集成“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測(cè)試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聯(lián)華電子申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

中微半導(dǎo)體設(shè)備申請(qǐng)雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法專利

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

重慶芯聯(lián)微電子申請(qǐng)掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導(dǎo)體申請(qǐng)光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

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