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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛爾蘭丁達爾國家研究所李智：通過微轉(zhuǎn)印實現(xiàn)微型LED的高級集成

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在高速直調(diào)半導(dǎo)體激光器研究方面取得新進展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在基于伊辛智能計算的光子集成電路快速重構(gòu)研究方面取得新進展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團隊自組織拓撲激光器研發(fā)取得新進展

南科大深港微電子學(xué)院高源團隊在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

半導(dǎo)體所/長光所/國創(chuàng)中心(蘇州)/中電科48所&18所/昆明物理所/甬江實驗室/賽迪研究院等專家邀共聚2025云南晶體大會！

復(fù)旦田朋飛課題組綠光micro-LED研究進展?：?2GHz帶寬下實現(xiàn)9Gbps通信速率

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展

2025云南晶體大會前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|仕佳光子黃永光：CW DFB激光器研究進展

2025云南晶體大會前瞻|國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王新強：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測用半導(dǎo)體單晶材料研究

2025云南晶體大會前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長、襯底制備及缺陷研究進展

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學(xué)院長春光機所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計與研究

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

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