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調(diào)研機構(gòu)富士經(jīng)濟發(fā)布報告天岳先進導(dǎo)電型碳化硅襯底市占率全球第二

實驗室成功生長出8英寸碳化硅單晶、2024年度科研資金超百億元

《半導(dǎo)體學(xué)報》發(fā)布2023年度中國半導(dǎo)體十大研究進展

華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目主體結(jié)構(gòu)順利封頂

新進展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

天岳先進：持續(xù)進行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)商邑文科技完成超5億元D輪融資

盛劍環(huán)境電子專用材料研發(fā)制造及相關(guān)資源化項目開工總投資3億元

長飛光學(xué)與半導(dǎo)體石英元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目封頂

昆明理工大學(xué)在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進展

盛美上海擬定增募資45億元投向高端半導(dǎo)體設(shè)備迭代研發(fā)等項目

山東有研半導(dǎo)體與山東粵海金開展碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作

上海合晶募資超15億元投資優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)項目

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

概倫電子臨港總部及研發(fā)中心建設(shè)項目封頂

“基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究”國家重點研發(fā)計劃項目啟動

【招聘】中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所寬禁帶半導(dǎo)體方向誠聘博士后

首芯半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備研發(fā)及生產(chǎn)項目封頂總投資5億元

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進展

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中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

邁為股份半導(dǎo)體晶圓研拋一體設(shè)備成功交付華天科技

連城數(shù)控擬投10.5億投建第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目

智程半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資加快半導(dǎo)體設(shè)備的擴產(chǎn)和持續(xù)研發(fā)

廈門市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告

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北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國電科第四十八研究所40臺SiC外延設(shè)備成功Move in

工信部部長金壯龍：將推動人工智能等前沿技術(shù)研發(fā)，促進稀土高端應(yīng)用

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