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中國(guó)科學(xué)院微電子所在高密度三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器研究取得重要進(jìn)展

進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無(wú)銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

中國(guó)科學(xué)院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復(fù)合襯底與器件方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在解決集成電路接觸電阻瓶頸方面取得重要理論突破

復(fù)旦大學(xué)在6G太赫茲通信領(lǐng)域取得重要成果

三項(xiàng)AI+VR產(chǎn)業(yè)重要成果在南昌發(fā)布

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進(jìn)展！

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在水陸兩棲紫外光電器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)在IEEE ISPSD發(fā)表2項(xiàng)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進(jìn)展

科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級(jí)薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

北大電子學(xué)院王興軍、舒浩文團(tuán)隊(duì)在超高速光互連領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

長(zhǎng)春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動(dòng)力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

中國(guó)科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動(dòng)高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級(jí)會(huì)議ISPSD發(fā)表

中美達(dá)成重要共識(shí)，5月12日發(fā)布聯(lián)合聲明

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)-廈門(mén)市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測(cè)器研究中取得重要突破

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

Wolfspeed：高效率和耐久性為成本優(yōu)化的系統(tǒng)提供重要價(jià)值

習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域的重要論述（五）

習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域的重要論述（四）

習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域的重要論述（二）

習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域的重要論述（一）

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實(shí)驗(yàn)方面取得重要進(jìn)展

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