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國星光電：公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品
GaN
-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等
國星光電
第三代半導(dǎo)體
新產(chǎn)品
GaN-DFN器件
新能源汽車
充電
手機快充
評論 ?
2021-12-24 18:36
河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸
GaN
襯底上MOCVD外延高質(zhì)量Al
GaN
/
GaN
HEMT材料
評論 ?
2021-12-23 16:16
西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯l
GaN
/
GaN
HEMTs
評論 ?
2021-12-22 16:28
無錫誕生全球最薄半導(dǎo)體
GaN
晶體，厚度突破1厘米！
評論 ?
2021-12-16 22:19
中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段
GaN
基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究
評論 ?
2021-12-14 14:47
南京電子器件研究所張凱：大功率
GaN
微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用
評論 ?
2021-12-14 14:46
中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成
GaN
基SBD倍頻電路研究
評論 ?
2021-12-14 14:42
日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于
GaN
肖特基勢壘二極管的微波整流器
評論 ?
2021-12-14 14:40
韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的
GaN
HEMT器件的性能和可靠性
評論 ?
2021-12-14 14:39
北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上
GaN
基功率電子材料及器件研究
評論 ?
2021-12-13 11:52
加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：
GaN
功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動器
評論 ?
2021-12-13 11:51
西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式Al
GaN
/
GaN
的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT
評論 ?
2021-12-13 11:47
南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：
GaN
器件及其系統(tǒng)的最新研究進展
評論 ?
2021-12-13 11:41
深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直
GaN
-on-
GaN
肖特基勢壘二極管
評論 ?
2021-12-13 11:39
電子科技大學(xué)李曦：
GaN
HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究
評論 ?
2021-12-13 11:29
西安電子科技大學(xué)寧靜：基于維度調(diào)控的
GaN
紫外LED及光電集成
評論 ?
2021-12-11 16:04
中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分Al
GaN
的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應(yīng)用
評論 ?
2021-12-11 16:01
鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍寶石襯底上B
GaN
基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究
評論 ?
2021-12-10 17:04
挪威科學(xué)院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的Al
GaN
納米線UV LED
評論 ?
2021-12-10 15:38
鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對In
GaN
基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響
評論 ?
2021-12-10 15:35
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰將會傲立潮頭？
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
碳化硅
GaN
襯底
Micro-LED
COB
Mini
COB
評論 ?
2021-11-30 21:05
功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展
SiC
GaN
第三代半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體
評論 ?
2021-11-26 12:05
國星光電：公司Micro LED芯片實現(xiàn)小批量供貨 已開展
GaN
功率器件研發(fā)工作
評論 ?
2021-11-25 16:13
IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇
中科院
半導(dǎo)體研究所
副所長
張韻
亞毫米波段
GaN基
HEMT
評論 ?
2021-11-22 15:53
蘇州納米所孫錢團隊在硅襯底
GaN
基縱向功率器件方面取得新進展
評論 ?
2021-11-05 17:25
聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (
GaN
FET)
評論 ?
2021-11-05 17:24
GaN
快充將于2025年占領(lǐng)一半市場
評論 ?
2021-11-04 14:28
晶湛半導(dǎo)體8寸
GaN
項目開建
評論 ?
2021-11-03 15:42
第三代半導(dǎo)體為什么這樣火？4 張圖秒懂
GaN
、SiC 關(guān)鍵技術(shù)
評論 ?
2021-10-29 19:38
西電郝躍院士團隊成功突破柔性高性能
GaN
半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)
評論 ?
2021-10-29 11:57
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