美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

<li id="tbxgz"></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

博世獲16億元補貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

日本政府為電裝-富士電機聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計劃投資705億日元

天岳先進攜12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

天岳先進榮膺“中國SiC襯底影響力企業(yè)”首位及“8英寸SiC先鋒”

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

日本電裝Denso、富士電機合建SiC項目

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

國聯(lián)萬眾王川寶：SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究 | IFWS2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項 SiC MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

天科合達8英寸SiC襯底二期項目開工！

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

南京南瑞半導(dǎo)體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設(shè)計更簡單

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購項目競爭性磋商

爍科晶體SiC二期項目通過竣工驗收，正式投產(chǎn)！

新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

鉅芯半導(dǎo)體新建SiC生產(chǎn)線

方正微電子8吋SiC線年底通線

方正微電子：2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

泰國將投資3.5億美元建設(shè)首個SiC工廠，預(yù)計2027年運營

利用SiC模塊進行電動壓縮機設(shè)計要點

20億！科友半導(dǎo)體SiC項目簽約杭州

第5頁/共30頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部