10月16日，方正微電子發(fā)文稱，公司作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM企業(yè)，當(dāng)前有兩個fab。Fab1當(dāng)前已實現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預(yù)計2024年底產(chǎn)能將達(dá)到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，GaN當(dāng)前產(chǎn)能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線將于2024年底通線，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。此外，方正微電子當(dāng)前已建成的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，中國第一。

當(dāng)前，方正微電子系列產(chǎn)品覆蓋了新能源汽車應(yīng)用的全場景：1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場景。方正微電子車規(guī)1200V SiC MOS產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用，特別是在新能源汽車主驅(qū)控制器上規(guī)模上車。

方正微電子表示，公司車規(guī)SiC MOS 1200V全系產(chǎn)品的性能已達(dá)到國際當(dāng)前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驅(qū)控制器應(yīng)用芯片為例，其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能關(guān)鍵指標(biāo)，可媲美當(dāng)前高端新能源車上應(yīng)用的國際同行SiC MOS產(chǎn)品，個別指標(biāo)領(lǐng)先，完全符合新能源汽車應(yīng)用需求。

據(jù)悉，方正微電子工規(guī)SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產(chǎn)品早已于2023年一季度開始大規(guī)模量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用在光伏、儲能、充電、UPS、工業(yè)電源等領(lǐng)域，目前已出貨SiC晶圓超4萬片。