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中科匯珠完成1.5億元新一輪融資，聚焦SiC外延材料研發(fā)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車

振華科技擬建設(shè)12萬片/年6英寸SiC/Si功率器件產(chǎn)線

簡述SiC MOSFET短路保護時間

日本半導體廠商羅姆將在年內(nèi)正式量產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體

哪吒汽車發(fā)布800V SiC高性能電驅(qū)系統(tǒng)——浩智電驅(qū)

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

復旦大學特聘教授張清純:車規(guī)級SiC器件產(chǎn)業(yè)化進展及發(fā)展趨勢

復旦大學牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術(shù)體系報告》征求意見

基于SiC的電動汽車用純電驅(qū)動單元研究

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國星光電研究院推出新能源領(lǐng)域用KS系列SiC MOSFET

簡述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

又一汽車品牌導入SiC，Wolfspeed供貨！

突破SiC生長關(guān)鍵核心材料解決關(guān)鍵材料“進口”依賴

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件技術(shù)

東莞證券：SiC有望成為最具前景的半導體材料之一

士蘭微：士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

問卷 | SiC MOSFET開關(guān)測試標準預研問卷

士蘭微：士蘭明鎵SiC產(chǎn)線已初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功

SiC MOSFET特性分析及應用

國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗

清純半導體SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

意法半導體獲7.3億歐元投資在意大利建新SiC制造廠

新品 | 世紀金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

蓉矽半導體NovuSiC? MOSFET正式發(fā)布！

機構(gòu)：SiC成本逐步下降，行業(yè)有望迎來爆發(fā)拐點

山東大學與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底制備

羅姆SiC功率半導體產(chǎn)能將增加6倍

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