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臺(tái)積電4納米制程技術(shù)將于第三季度提前試產(chǎn)

日期:2021-06-02 來(lái)源:財(cái)聯(lián)社閱讀:304
核心提示:據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電4納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度順利,預(yù)計(jì)2021年第三季度開(kāi)始試產(chǎn),較先前規(guī)劃提早一個(gè)季度
據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電4納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度順利,預(yù)計(jì)2021年第三季度開(kāi)始試產(chǎn),較先前規(guī)劃提早一個(gè)季度。3納米制程則將依計(jì)劃于2022年下半年量產(chǎn)。臺(tái)積電表示,3納米制程技術(shù)將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于5納米制程技術(shù),3納米制程速度增快15%,功耗降低30%,邏輯密度增加70%。
 
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