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總投資160億元 三安光電湖南半導體基地投產(chǎn)

日期:2021-06-23 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:539
核心提示:6月23日,總投資160億元、總占地面積1000畝的湖南三安半導體項目,迎來首批廠房投產(chǎn)點亮儀式。作為湖南省的重點項目之一,湖南三
 6月23日,總投資160億元、總占地面積1000畝的湖南三安半導體項目,迎來首批廠房投產(chǎn)點亮儀式。
 
作為湖南省的重點項目之一,湖南三安半導體項目將在長沙高新區(qū)建設(shè)形成集長晶、襯底、外延、芯片、封裝測試于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈項目,是全球第三條、中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線,其產(chǎn)品可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等領(lǐng)域,這必將成為推動湖南新一代半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重大動力。
圖片來源:長沙晚報
 
湖南三安半導體項目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。具體而言,該項目將建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

點亮儀式上,三安光電股份有限公司副董事長、總經(jīng)理林科闖表示,湖南三安半導體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié),打造了國內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,能為客戶提供高品質(zhì)準時交付產(chǎn)品的同時,兼具大規(guī)模生產(chǎn)的成本優(yōu)勢。

據(jù)了解,湖南三安半導體基地全部建成達產(chǎn)后,預計將實現(xiàn)年銷售額120億元,年貢獻稅收17億元,將促進第三代半導體行業(yè)加快發(fā)展,帶動周邊配套產(chǎn)業(yè)近萬個就業(yè)機會。

三安光電相關(guān)人士向第一財經(jīng)記者透露,湖南三安半導體基地設(shè)備已點亮,下一步進行工藝調(diào)試和流片。
 
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