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華微電子:公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術(shù)

日期:2021-08-06 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:496
核心提示:8月5日,有投資者向華微電子(600360)提問, 請問: 1、公司SiC和GaN研發(fā)有何進展,此類產(chǎn)品有何規(guī)劃; 2、吉林日報報道公司8英
 8月5日,有投資者向華微電子(600360)提問, 請問: 1、公司SiC和GaN研發(fā)有何進展,此類產(chǎn)品有何規(guī)劃; 2、吉林日報報道公司8英寸半導體滿產(chǎn)滿銷,訂單排到明年;那么4-6英寸半導體產(chǎn)品是否滿產(chǎn)滿銷; 3、IGBT3300V研發(fā)有何進展,是否進一步研發(fā)更高級別IGBT計劃。
 
公司回答表示,尊敬的投資者您好 1、公司作為國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品種類最為齊全的功率半導體器件IDM公司,正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術(shù)。公司重點推進SiC SBD 產(chǎn)品和 650V GaN 器件的開發(fā)。2、關(guān)于今年上半年的產(chǎn)銷量情況,公司將在2021年半年度報告中披露。3、公司IGBT有產(chǎn)能的最高電壓為1350V,在研的最高電壓為3300V。
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