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IC Insights:今年全球NAND閃存資本支出將增長(zhǎng)8%,至299億美元

日期:2022-03-16 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:288
核心提示:近日,IC Insights發(fā)布了2022年《麥克林報(bào)告》第一季度更新。對(duì)未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)能、DRAM、閃存、MCU、MPU和模擬芯片細(xì)分市場(chǎng)做了詳細(xì)預(yù)測(cè)。
近日,IC Insights發(fā)布了2022年《麥克林報(bào)告》第一季度更新。對(duì)未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)能、DRAM、閃存、MCU、MPU和模擬芯片細(xì)分市場(chǎng)做了詳細(xì)預(yù)測(cè)。

 
IC Insights預(yù)測(cè)今年NAND閃存資本支出將增長(zhǎng)8%至299億美元,超過(guò)2018年278億美元的歷史最高記錄(如下圖)。閃存資本支出在2017年飆升,當(dāng)時(shí)該行業(yè)向3D NAND轉(zhuǎn)型,此后每年都超過(guò)200億美元。2022年,閃存的資本支出預(yù)計(jì)將增至299億美元,因?yàn)榇笮凸?yīng)商和小型供應(yīng)商將保持適度激進(jìn)的支出水平。

 
299億美元的支出占2022年整個(gè)集成電路行業(yè)資本支出1904億美元的16%,僅落后于晶圓代工,這一部分預(yù)計(jì)將占今年行業(yè)資本支出的41%。
 
新建和最近升級(jí)版的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek Lines1和2(也用于DRAM和代工);三星在中國(guó)西安的二期投資;鎧俠在日本巖手的Fab6和FabK1,以及美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外,SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。
 
在預(yù)測(cè)期內(nèi),隨著NAND閃存供應(yīng)商準(zhǔn)備從2022年底到2023年進(jìn)入200層以上設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng),將需要新的晶圓廠和新設(shè)備。到今年晚些時(shí)候,三星和美光可能是第一批開(kāi)始量產(chǎn)的公司。兩家公司以及SK海力士目前都在量產(chǎn)176層NAND。三星位于中國(guó)西安的晶圓廠是(并將成為)領(lǐng)先NAND的關(guān)鍵制造基地,擁有兩個(gè)晶圓廠,每個(gè)晶圓廠全面投產(chǎn)后每月可生產(chǎn)120000片晶圓。隨著對(duì)企業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用的日益關(guān)注,SK海力士預(yù)計(jì)將在2023年遷移到196層。 
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