近日，思特威與合肥晶合集成合作推出了國產(chǎn)自研高端BSI工藝平臺。
在CMOS圖像傳感器小像素尺寸與高分辨率的市場趨勢下，BSI（Back SideIllumination）即背照式入射受到市場的重視和需求。相較于前照式入射方案，BSI將光線入射方向改至光電二極管的背面，可大幅提升 CMOS 圖像傳感器的量子效率，降低電路光學(xué)串?dāng)_，同時解決了像素尺寸微小化和擴(kuò)大光學(xué)視角響應(yīng)方面的重要難題，進(jìn)而實現(xiàn)極佳的暗光成像品質(zhì)。
據(jù)悉，早在2020年，思特威就已與晶合集成攜手成功推出了DSI工藝平臺并實現(xiàn)量產(chǎn)。為了繼續(xù)提升產(chǎn)品性能，2021年思特威開始進(jìn)行本土BSI背照式先進(jìn)工藝平臺的研發(fā)，在多項關(guān)鍵技術(shù)工藝上取得突破性成果，創(chuàng)新推出了國產(chǎn)高端BSI工藝平臺。此次思特威攜手晶合集成推出的國產(chǎn)自研高端BSI平臺通過晶圓鍵合技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)以及硅表面鈍化技術(shù)等三大關(guān)鍵工藝，可為當(dāng)下智視應(yīng)用提供一流的暗光成像性能。
