半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，近日，三星否認了有關(guān)延后3納米芯片量產(chǎn)的報道。

消息顯示，三星一位發(fā)言人表示，目前仍按進度于第二季度開始量產(chǎn)3納米芯片。

 

據(jù)悉，三星下一代3納米芯片將基于 Gate-All-Around （GAA） 技術(shù)，三星表示，與現(xiàn)有 FinFET 相比，該技術(shù)可將面積減少 45%，同時提供 30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

三星還表示其2納米工藝節(jié)點處于早期開發(fā)階段，計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

 

今年6月，三星副會長李在镕開啟了7日歐洲穿梭之旅，官方消息顯示，李在镕于6月14日（當?shù)貢r間）在荷蘭Veldhoven的ASML總部會見了ASML的高管，包括首席執(zhí)行官Peter Wennink和首席技術(shù)官Martin van den Brink。

 

據(jù)韓媒《BusinessKorea》報道，三星電子副董事長李在镕從ASML獲得了額外的極紫外（EUV）光刻設(shè)備，這對下一代半導體的生產(chǎn)至關(guān)重要。不過，三星電子暫時沒有透露ASML將提供的額外EUV光刻設(shè)備的細節(jié)。

 

據(jù)悉，3/2納米工藝的實現(xiàn)高度依賴于ASML的新一代的EUV光刻機。業(yè)界消息顯示，ASML在2021年出貨的48臺EUV設(shè)備中，三星和臺積電分別采購了15臺和20臺。

 

近些年，三星趕超臺積電的雄心愈發(fā)明顯，尤其表現(xiàn)在能體現(xiàn)雙方技術(shù)底蘊的先進制程上，由此三星近期動態(tài)頻頻，包括更換半導體研發(fā)中心負責人、提高先進制程良率等。