日前，聯(lián)電發(fā)布公告稱，董事會通過了資本預(yù)算執(zhí)行方案，預(yù)計投資金額達(dá)324.17億元新臺幣（約人民幣73.85億元），以供產(chǎn)能建設(shè)要求。

據(jù)中國臺灣媒體《聯(lián)合報》報道，將主要用于建設(shè)中國臺灣南科晶圓12A廠P6廠區(qū)及新加坡P3廠。聯(lián)電指出，南科晶圓12A廠P6廠區(qū)與新加坡P3廠共計將投資100億美元，逾新臺幣3000億元，將于3、4年內(nèi)完成投資。

消息顯示，其中，新加坡P3廠位于白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），預(yù)計2025年量產(chǎn)，以22納米及28納米制程生產(chǎn)。因缺工缺料及機(jī)臺交期長的影響，量產(chǎn)時程將較原先規(guī)劃的2024年底延遲超過1季時間。