近日，根據(jù)士蘭微最新投資者關(guān)系活動記錄表披露，在SiC領(lǐng)域，目前士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，并已向客戶送樣。2023年，士蘭明鎵將加快推進(jìn)SiC芯片生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度，預(yù)計(jì)2023年年底將形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭明鎵成立于2018年2月1日，為杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司雙方協(xié)議注冊成立，注冊資本12億元，主要設(shè)計(jì)和制造GaN外延藍(lán)綠白光LED芯片、GaAs外延紅光LED芯片、GaAs外延激光器件芯片、InP光通訊器件芯片以及第三代功率半導(dǎo)體芯片等化合物半導(dǎo)體芯片。

據(jù)悉，2022年士蘭明鎵已著手實(shí)施“SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)，同年四季度，SiC芯片生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，并形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。根據(jù)此前公告，SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬片SiC-MOSFET/SBD功率半導(dǎo)體器件芯片的生產(chǎn)能力。

此外，本次投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司12英寸線目前月產(chǎn)能約6萬片，產(chǎn)出約5萬片。此前公告顯示，項(xiàng)目建成后將形成一條年產(chǎn)36萬片12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品。