國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法”的專利，公開號(hào)CN 118900619 A，申請(qǐng)日期為2023年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含多個(gè)MTJ(Magnetic tunnel junctions，磁性隧穿結(jié)) 元件，從一俯視圖來(lái)看，多個(gè)MTJ元件排列成一陣列，至少一第二接觸結(jié)構(gòu)，位于MTJ元件所排成的陣列之中，至少一第一掩模層，覆蓋于各MTJ元件的一頂面與兩側(cè)壁，其中從一剖面圖來(lái)看，第一掩模層的一斷面?zhèn)缺谂c第二接觸結(jié)構(gòu)下方的一第二金屬層的一側(cè)壁切齊。