2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。 

西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。 

高功率寬禁帶半導體射頻器件，尤其是氮化鎵（GaN）毫米波功率器件，在高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著舉足輕重的作用。在大容量超高速移動通信、高分辨成像雷達等領域具有廣闊應用前景。高功率寬禁帶半導體射頻器件技術(shù)在提升系統(tǒng)效率、可靠性以及應對復雜環(huán)境方面具有顯著優(yōu)勢，是未來高新技術(shù)發(fā)展的重要方向。，西安電子科技大學研究團隊在這一領域取得了系列重要進展。報告將分享相關研究進展與成果，敬請期待！

嘉賓簡介

張進成

西安電子科技大學副校長、教授

 張進成，西安電子科技大學副校長、教授，西安電子科技大學副校長、寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術(shù)國家級重點實驗室副主任，曾擔任ICNS、DRIP、APWS等國際學術(shù)會議電子器件分會主席，微電子學院副院長，科學研究院院長。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。

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