國家知識產權局信息顯示，成都士蘭半導體制造有限公司申請一項名為“半導體外延結構及其制備方法”的專利，公開號 CN 119181725 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種半導體外延結構及其制備方法，其中半導體外延結構從下至上依次包括：襯底、外延阻擋層、第一外延層、阻擋柵以及第二外延層，阻擋柵包括至少兩個無摻雜結構層。本發(fā)明通過阻擋柵的設計可以降低外延自摻雜效應，解決外延層過渡區(qū)平緩的問題。