超芯星新一代8mΩ·cm低阻碳化硅襯底，擁有零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個(gè)/cm2）的卓越晶質(zhì)，將為下游客戶帶來(lái)四大核心變革： 

導(dǎo)通損耗大幅降低，系統(tǒng)效率顯著提升； 

運(yùn)行溫度顯著下降，可靠性增強(qiáng)，功率密度再突破； 

開(kāi)關(guān)性能明顯優(yōu)化，響應(yīng)更快、損耗更低；

整體成本更具競(jìng)爭(zhēng)力，為產(chǎn)品升級(jí)預(yù)留更大空間；

（來(lái)源：超芯星）