近日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群（以下簡(jiǎn)稱PDBG）SiC主驅(qū)模塊板塊再獲重要突破，PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS主驅(qū)模塊成功導(dǎo)入某頭部車企并實(shí)現(xiàn)批量上車。該類模塊基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平臺(tái)芯片，采用ValueDual封裝，6/8管并聯(lián)設(shè)計(jì)，最低導(dǎo)通電阻1.6mΩ，兼具SiC器件低損耗、耐高溫特性以及ValueDual模塊的高系統(tǒng)兼容性、高系統(tǒng)效率等性能優(yōu)勢(shì)，在商用車主驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

一、產(chǎn)品核心特性

高阻斷電壓與低導(dǎo)通電阻

驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單易并聯(lián)

低電感封裝避免振蕩

采用AMB技術(shù) 

二、應(yīng)用領(lǐng)域

xEV應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電

三、產(chǎn)品列表

 第四代SiC MOS平臺(tái)

已批量上車的ValueDual模塊采用了PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS平臺(tái)的1200V 13mΩ芯片。該平臺(tái)在延續(xù)第二代平臺(tái)優(yōu)異的柵極特性的同時(shí)，通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新，進(jìn)一步優(yōu)化了RSP、結(jié)電容、漏電等關(guān)鍵參數(shù)，顯著提升功率密度和運(yùn)行效率，為車載充電機(jī)（OBC）、主驅(qū)、高壓直流輸電（HVDC）等高功率密度、高集成度的應(yīng)用領(lǐng)域提供更高能效的系列化產(chǎn)品。 

PDBG已經(jīng)快速完成第四代SiC MOS產(chǎn)品系列化，開(kāi)發(fā)650V和1200V兩個(gè)電壓平臺(tái)，推出十余個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格產(chǎn)品，同時(shí)搭配公司成熟的插件、貼片封裝，包括QDPAK、TOLT等貼片頂部散熱封裝，產(chǎn)品綜合性能表現(xiàn)優(yōu)異，已成功導(dǎo)入OBC、充電樁、逆變器等領(lǐng)域的頭部客戶，并實(shí)現(xiàn)批量供貨，為產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供高效可靠的國(guó)產(chǎn)器件支持。 

第四代SiC MOS產(chǎn)品列表

結(jié)語(yǔ)

依托華潤(rùn)微電子在SiC領(lǐng)域長(zhǎng)期沉淀的深厚技術(shù)積累，以及IDM商業(yè)模式所具備的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，PDBG將持續(xù)對(duì)SiC產(chǎn)品系列進(jìn)行迭代升級(jí)，不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能。與此同時(shí)，積極開(kāi)發(fā)與SiC特性相匹配的新型單管和模塊封裝形式，最大化發(fā)揮SiC器件的優(yōu)勢(shì)。未來(lái)，PDBG將憑借領(lǐng)先的技術(shù)和優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，助力整機(jī)應(yīng)用朝著高效化、輕量化的方向升級(jí)，為客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品選擇。

 （來(lái)源：西永微電園）