化合物半導(dǎo)體作為破解“卡脖子”難題、實現(xiàn)高水平科技自立自強的核心戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，正迎來爆發(fā)式發(fā)展機遇。為緊抓化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)機遇，進一步發(fā)揮珠海產(chǎn)業(yè)及應(yīng)用市場優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）將于2025年12月6-7日在珠海高新區(qū)香山會議中心組織召開首屆“大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用生態(tài)大會”。會議設(shè)有開幕大會和化合物半導(dǎo)體材料論壇、化合物半導(dǎo)體功率器件與應(yīng)用論壇、化合物半導(dǎo)體芯片與封裝論壇、化合物半導(dǎo)體光電應(yīng)用創(chuàng)新論壇大會在內(nèi)四場平行論壇，將圍繞國家重大戰(zhàn)略和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展需求，邀請重量級專家、學(xué)者及產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)代表深入探討上下游協(xié)同發(fā)展中的問題，為新時期化合物半導(dǎo)體技術(shù)突破及產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略提供建議。

屆時，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長、總經(jīng)理程凱將出席大會，并將在“論壇A：化合物半導(dǎo)體材料論壇”上分享《氮化鎵材料生長進展與突破》的主題報告，敬請關(guān)注！ 

嘉賓簡介：

程凱，清華大學(xué)電子工程系本科碩士，比利時魯汶大學(xué)和IMEC聯(lián)合培養(yǎng)博士（2008年）。曾任IMEC GaN項目資深科學(xué)家，2012年回國創(chuàng)辦晶湛半導(dǎo)體并任總裁，致力于氮化鎵外延材料的產(chǎn)業(yè)化。程博士是業(yè)界公認的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開拓者之一，分別于2006年、2011年和2021年首次研制出6英寸、8英寸、12英寸GaN-on-Si外延材料，擁有非常豐富的材料生長經(jīng)驗，能夠在不同襯底上(Si/Sapphire/GaN等)實現(xiàn)高質(zhì)量GaN外延。累計申請國內(nèi)外專利近600項，已授權(quán)100余項。 

關(guān)于晶湛半導(dǎo)體：

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司是由業(yè)界公認的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地。公司在GaN (氮化鎵)外延技術(shù)領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上極少數(shù)可供應(yīng)12英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實力處于國際領(lǐng)軍地位。公司愿景是成為世界領(lǐng)先的GaN材料供應(yīng)商，晶湛半導(dǎo)體在技術(shù)、市場、項目合作、人才培養(yǎng)等各方面都取得了顯著進步，將為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動作用。

附：化合物半導(dǎo)體材料論壇議程（雙擊點看大圖）

會議內(nèi)容 

會議主題：“中國‘芯’基地，灣區(qū)‘芯’未來”

會議時間：2025年12月6日（周六）-7日（周日）

會議地點：珠海高新區(qū)香山會議中心 

會議整體安排