2025年12月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)成功實現垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化鎵單晶生長，8英寸等徑長度可達20mm。這一成果的落地，不僅為2025年的工作劃上圓滿句號，更印證了公司在氧化鎵領域的核心競爭力：作為全球首個實現多技術路線、多晶面8英寸氧化鎵單晶制備的領先廠商，鎵仁半導體憑借一系列原創(chuàng)性技術突破，確立了在全球氧化鎵材料領域的行業(yè)引領地位。

圖1 鎵仁半導體VB法8英寸氧化鎵晶錠

年度回顧

2025年3月，鎵仁半導體采用自主研發(fā)的鑄造法制備出全球首顆8英寸氧化鎵單晶并加工出相應尺寸單晶襯底，展示了在材料尺寸突破方面的技術能力。這一成果標志著鎵仁半導體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術的企業(yè)，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。鎵仁半導體也憑借著這項舉世矚目的成果獲得了 “2025 年度中國第三代半導體技術十大進展”、“浙江省科技廳2025年度重大科技成果”、“2024-2025年度半導體材料行業(yè)貢獻獎”等一系列重要獎項，成為氧化鎵領域的領先廠商。 

回望全年，鎵仁半導體的突破并非一蹴而就。公司的技術發(fā)展，沿著一條清晰而扎實的路徑演進。 

VB法因在成本控制與規(guī)?；a方面的潛力，被視為氧化鎵產業(yè)化的重要方向之一。 

本次VB法8英寸晶體的成功制備，是技術路徑上的又一實質性進展，也使公司具備不同晶面8英寸單晶技術能力。鎵仁半導體在2025年一年之內，實現了VB法氧化鎵單晶尺寸從4英寸到6英寸直至8英寸的多次突破，既是鎵仁半導體技術能力與研發(fā)積淀的綜合體現，也是按照既定戰(zhàn)略規(guī)劃穩(wěn)扎穩(wěn)打后的厚積薄發(fā)。 

未來展望

目前，鎵仁半導體已在全球范圍內率先實現多技術路線、多晶面的8英寸氧化鎵單晶制備，成為該領域的領先廠商。

未來，鎵仁半導體氧化鎵材料的發(fā)展重點將逐步轉向晶體質量提升、成本優(yōu)化及下游器件驗證等產業(yè)化環(huán)節(jié)。接下來，鎵仁半導體計劃與下游器件廠商開展聯合評估，以推動材料在實際應用中的性能驗證，協同推進國內氧化鎵行業(yè)快速發(fā)展。

（來源：鎵仁半導體）