近日，由深圳市屬國企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）取得系列突破！分析檢測(cè)與器件研發(fā)雙線發(fā)力，多項(xiàng)成果填補(bǔ)空白、國際領(lǐng)先，構(gòu)建起從技術(shù)創(chuàng)新到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的完整支撐體系，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控貢獻(xiàn)創(chuàng)“芯”力量。

1、檢測(cè)系列上新，填補(bǔ)高端檢測(cè)服務(wù)空白

“基于4D-STEM技術(shù)實(shí)現(xiàn)微觀尺度局域電性精準(zhǔn)表征”取得新突破

近日，國創(chuàng)中心“基于4D-STEM技術(shù)解決微觀尺度下局域電性表征”的技術(shù)攻克了第三代半導(dǎo)體材料原子尺度電學(xué)性能表征核心技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)“人無我有”關(guān)鍵突破。相關(guān)成果已具備對(duì)外技術(shù)服務(wù)能力，為氮化鎵（GaN）基器件異質(zhì)結(jié)優(yōu)化、二維電子氣調(diào)控及器件失效分析提供關(guān)鍵技術(shù)支撐，推動(dòng)國創(chuàng)中心成為國內(nèi)極少數(shù)具備基于4D-STEM提供對(duì)外服務(wù)及數(shù)據(jù)處理能力的分析檢測(cè)機(jī)構(gòu)，填補(bǔ)了國內(nèi)該領(lǐng)域高端檢測(cè)服務(wù)空白。

“SiC柵氧表征能力建設(shè)”新突破

近日，國創(chuàng)中心在碳化硅（SiC）柵氧表征能力建設(shè)方面攻克了寬禁帶半導(dǎo)體SiC柵氧表征領(lǐng)域多項(xiàng)技術(shù)瓶頸，建立行業(yè)稀缺的全套SiC柵氧系統(tǒng)表征方案，研究成果達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，相關(guān)成果已應(yīng)用于SiC功率器件分析測(cè)試表征并產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性效益，為SiC功率器件柵氧工藝優(yōu)化、界面性能提升及失效分析提供全方位高端技術(shù)支撐，助力我國SiC產(chǎn)業(yè)鏈自主可控升級(jí)。

建立無損快速的Raman測(cè)量SiC微區(qū)載流子濃度能力

近日，國創(chuàng)中心成功構(gòu)建“無損快速的Raman測(cè)量碳化硅（SiC）微區(qū)載流子濃度”能力，攻克LO聲子-等離子體耦合（LOPC）精準(zhǔn)利用、干擾排除等行業(yè)技術(shù)瓶頸，建立了完整的4H-SiC載流子濃度非破壞性測(cè)量體系，實(shí)現(xiàn)了“人無我有”的創(chuàng)新突破，為第三代半導(dǎo)體檢測(cè)提供更高效的解決方案。

“建立Quad-SIMS測(cè)量氮化鎵（GaN）外延中元素濃度的方法”通過驗(yàn)收

近日，國創(chuàng)中心標(biāo)志性競爭力項(xiàng)目“建立Quad-SIMS測(cè)量氮化鎵（GaN）外延中元素濃度的方法”順利通過驗(yàn)收，在無業(yè)界技術(shù)參考、無原廠商有效建議的條件下，針對(duì)工藝優(yōu)化衍生測(cè)試需求提出多種原創(chuàng)性解決方案，攻克了第三代半導(dǎo)體材料表征關(guān)鍵技術(shù)難題，相關(guān)成果已實(shí)現(xiàn)對(duì)外技術(shù)交付，為GaN外延工藝優(yōu)化與器件性能提升提供核心技術(shù)支撐，使國創(chuàng)中心成為國內(nèi)少數(shù)掌握Quad-SIMS GaN測(cè)量技術(shù)的機(jī)構(gòu)。

2、器件系列領(lǐng)跑，加速產(chǎn)業(yè)化落地

100V GaN功率器件綜合性能達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平

國創(chuàng)中心在100V氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）器件與封裝工程樣品，關(guān)鍵性能達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，預(yù)計(jì)于2026年第一季度對(duì)外供樣，可為數(shù)據(jù)中心二次電源、人形機(jī)器人與無人機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供全新解決方案。

8英寸1200V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

國創(chuàng)中心在高壓1200V級(jí)GaN功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵性突破，首次在8英寸Si襯底上實(shí)現(xiàn)了超過8μm的低翹曲GaN外延，并成功驗(yàn)證了1200V等級(jí)科研小器件電性，關(guān)鍵性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，為提升數(shù)據(jù)中心800V母線供電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)的核心元器件自主供應(yīng)能力奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。首批1200V封裝樣品預(yù)計(jì)將于2026年第三季度對(duì)外發(fā)布。

高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

國創(chuàng)中心在高壓650V氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功研制出高性能高壓GaN E-HEMT（增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）器件，關(guān)鍵性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，可為數(shù)據(jù)中心一次電源、工業(yè)機(jī)器人、車載OBC提供有競爭力的解決方案。目前，基于該成果開發(fā)的DFN與TOLL封裝器件已進(jìn)入工程流片階段，預(yù)計(jì)650V電壓等級(jí)樣品將于2026年第二季度對(duì)外發(fā)布。

低壓（15V-40V）GaN功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

國創(chuàng)中心在低壓（15V-40V）氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，成功研制出高性能低壓 GaN E-HEMT（增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）器件，其中代表性25V器件性能關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，大幅突破傳統(tǒng)硅基技術(shù)性能極限，有望重塑AI算力供電的技術(shù)與市場(chǎng)格局，為高效、高功率密度計(jì)算芯片供電提供全新解決方案。目前，基于該成果開發(fā)的晶圓級(jí)封裝（WLCSP）器件已進(jìn)入工程流片階段，預(yù)計(jì)25V與15V電壓等級(jí)WLCSP樣品將分別于2026年第一季度和第二季度對(duì)外發(fā)布。