1月16日，露笑科技(9.210, 0.55, 6.35%)股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布消息稱，控股子公司合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“合肥露笑”）在8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域取得重大突破，核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平。

據(jù)介紹，在晶體質(zhì)量方面，合肥露笑已全面掌握8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長工藝參數(shù)之間的耦合關(guān)系，成功生長出高質(zhì)量的8英寸碳化硅晶體。相關(guān)晶體結(jié)晶質(zhì)量高、晶型控制穩(wěn)定，能夠有效確保襯底產(chǎn)品的高性能和一致性。在微管密度、表面粗糙度、位錯(cuò)密度、電阻率分布均勻性等在內(nèi)的關(guān)鍵參數(shù)上，公司均已達(dá)到或優(yōu)于行業(yè)主流標(biāo)準(zhǔn)，其中，微管密度極低，表面質(zhì)量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

值得一提的是，合肥露笑擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的晶體生長設(shè)備和核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從晶體生長到襯底加工的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局，并已建立起可重復(fù)的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術(shù)成熟度高。

PVT晶體生長爐

基于8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底研發(fā)取得的突破性進(jìn)展，公司已制定了清晰的戰(zhàn)略規(guī)劃：在合肥基地一期項(xiàng)目順利投產(chǎn)的基礎(chǔ)上，積極籌劃二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，將重點(diǎn)聚焦于8英寸碳化硅襯底產(chǎn)線建設(shè)，旨在快速形成規(guī)?；a(chǎn)能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲(chǔ)能及工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。

公司還將持續(xù)加大研發(fā)投入，進(jìn)一步優(yōu)化8英寸導(dǎo)電型碳化硅的生產(chǎn)工藝，在提升產(chǎn)品性能的同時(shí)推動(dòng)制造成本下降。此外，公司還將前瞻性布局下一代碳化硅技術(shù)，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)方向，鞏固核心競爭優(yōu)勢。

在市場與合作層面，隨著8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品逐步成熟，公司將積極與國內(nèi)外知名功率器件廠商及終端應(yīng)用客戶開展深度合作與產(chǎn)品驗(yàn)證，進(jìn)一步深化上下游戰(zhàn)略協(xié)同，共同推動(dòng)碳化硅技術(shù)在更多領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，8英寸碳化硅襯底被視為第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用和成本優(yōu)化的重要方向，合肥露笑在該領(lǐng)域取得的階段性成果，不僅是公司自身發(fā)展歷程中的重要節(jié)點(diǎn)，也為我國半導(dǎo)體材料自主創(chuàng)新提供了有力支撐。未來，隨著產(chǎn)能建設(shè)推進(jìn)和應(yīng)用驗(yàn)證深化，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展值得持續(xù)關(guān)注。