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南京理工大學(xué)微電子學(xué)院在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最新研究成果

科研成果 | 氮化物半導(dǎo)體深紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀及應(yīng)用

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

九峰山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布最新成果，一年可為超大型AI算力中心省3億度電

萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

復(fù)旦大學(xué)在6G太赫茲通信領(lǐng)域取得重要成果

稀土突破性研究成果發(fā)表

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室兩項(xiàng)成果亮相ICSCRM

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

西安電子科技大學(xué)保宏教授團(tuán)隊(duì)在《Advanced Materials》上發(fā)表科研成果

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部科研團(tuán)隊(duì)在《Advanced Materials》發(fā)表科研成果

西安電子科技大學(xué)蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院超寬帶高速電路取得多項(xiàng)成果

南科大李攜曦課題組發(fā)表金剛石薄膜制備和應(yīng)用領(lǐng)域研究成果

電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)在SCIENCE CHINA Information Sciences上發(fā)表研究成果

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