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蘇州納米所孫錢(qián)團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

三維半導(dǎo)體器件制造新路徑！上海交大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)3D打印單晶硅突破

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

上海光機(jī)所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進(jìn)展

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

中國(guó)科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

12英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)激光剝離

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項(xiàng)氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來(lái)石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

國(guó)內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

香港科技大學(xué)開(kāi)發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

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