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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室100V GaN功率器件綜合性能達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

半導(dǎo)體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實(shí)現(xiàn)193nm深紫外激光

電子科技大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

國際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

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山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進(jìn)展

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北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中國科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

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