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應(yīng)用
CHIPX Global投建一座8英寸
GaN
/SiC集成電路晶圓制造工廠
CHIPX
Global
馬來西亞
8英寸
GaN/SiC
集成電路
晶圓
制造工廠。
評論 ?
2025-12-18 09:13
晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE
GaN
外延技術(shù)基礎(chǔ)
評論 ?
2025-12-11 10:35
標(biāo)準(zhǔn) | 11項
GaN
/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會草案
評論 ?
2025-12-11 09:34
國產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體，德清產(chǎn)！填補國內(nèi)空白！
德清
湖州
鎵奧科技
氮化鎵
GaN
功率半導(dǎo)體
評論 ?
2025-12-04 10:19
中國科學(xué)院近代物理研究所胡培培：
GaN
材料及器件重離子輻照效應(yīng)研究進展
評論 ?
2025-12-03 15:00
報告前瞻|晶通半導(dǎo)體劉丹：可靠、高效、易用”的增強型氮化鎵驅(qū)動E
GaN
Smart-Driver
評論 ?
2025-11-27 14:30
南芯科技推出700V高壓
GaN
半橋功率芯片，為工業(yè)電源提供更高效可靠的解決方案
評論 ?
2025-11-25 17:01
Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全
GaN
參考設(shè)計， 賦能AI數(shù)據(jù)中心電源
Allegro
英諾賽科
GaN
AI數(shù)據(jù)中心
電源
評論 ?
2025-11-25 14:33
報告前瞻|中國科學(xué)院蘇州納米所劉建平：
GaN
激光芯片研究與產(chǎn)業(yè)化
評論 ?
2025-11-25 12:11
英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（
GaN
）技術(shù)創(chuàng)新
評論 ?
2025-11-06 19:26
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英國巴斯大學(xué)王望南：基于UVC和In
GaN
的紅光LED 的挑戰(zhàn)與最新進展
評論 ?
2025-11-04 17:40
東微半導(dǎo)：目前公司研發(fā)的
GaN
產(chǎn)品得以擴容，正積極推進客戶驗證
評論 ?
2025-11-04 15:32
安森美發(fā)布垂直氮化鎵（
GaN
）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)
評論 ?
2025-10-31 11:33
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE
GaN
外延技術(shù)
評論 ?
2025-10-28 16:53
機構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、
GaN
功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元
評論 ?
2025-10-22 18:38
東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進12英寸氮化鎵（
GaN
）功率器件研發(fā)和應(yīng)用
評論 ?
2025-10-21 16:23
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飛凌宋清亮：基于英飛凌
GaN
晶體管的高壓直流中間總線變換器的參考設(shè)計
評論 ?
2025-10-16 11:35
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大學(xué)鞠光旭：基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)
GaN
生長動力學(xué)原位研究
評論 ?
2025-10-16 11:34
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：
GaN
功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)
評論 ?
2025-10-15 10:41
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|臺灣陽明交通大學(xué)郭浩中：
GaN
基UVC和Micro LED技術(shù)最新進展
評論 ?
2025-10-14 16:46
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：
GaN
納米線和GaInN基多量子殼晶體生長和光子器件應(yīng)用
評論 ?
2025-10-14 16:44
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級In
GaN
發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究
評論 ?
2025-10-14 16:43
英諾賽科為800 VDC電源架構(gòu)提供全
GaN
電源解決方案，賦能新一代AI Factories
評論 ?
2025-10-14 15:38
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能
GaN
功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新
評論 ?
2025-10-13 16:29
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直
GaN
MOSFET性能預(yù)測和損耗分析
評論 ?
2025-10-13 15:56
Imec啟動300mm
GaN
項目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm
GaN
技術(shù)
評論 ?
2025-10-13 10:42
漢驊半導(dǎo)體2025四大突破！國內(nèi)首個3DIC異構(gòu)集成
GaN
Plus平臺 超越摩爾
評論 ?
2025-09-30 07:48
再傳捷報！先為科技首臺常壓型
GaN
MOCVD設(shè)備正式發(fā)貨
評論 ?
2025-09-18 17:45
2025云南晶體大會前瞻|國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及
GaN
的常溫異質(zhì)接合研究
評論 ?
2025-09-17 14:41
攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)6/8英寸
GaN
襯底制備
評論 ?
2025-09-16 18:22
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