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IFWS 2025：氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

2025年武漢紡織大學超寬禁帶半導(dǎo)體與光電器件團隊平臺建設(shè)項目招標公告

IFWS2025：碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)分會最新報告出爐！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

Allegro MicroSystems推出業(yè)界首款量產(chǎn)級10 MHz TMR電流傳感器為寬禁帶功率電子器件提供精準保護與控制

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

總投資11.5億元，浩納光電高精度光學元器件及超精密模具項目開工

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|復(fù)旦大學田朋飛：面向空間引力波探測的深紫外micro-LED器件與可靠性研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安電子科技大學任澤陽：金剛石表面終端電導(dǎo)器件和散熱應(yīng)用研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學王嘉：通過鎂插層增強氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體材料與器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術(shù)進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學楊樹：GaN功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

Imec啟動300mm GaN項目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

突發(fā)！美國將16家中企列入實體清單，含多家電子元器件分銷商

華科大戴江南教授、彭洋副教授團隊在最短波長毫瓦級遠紫外Micro-LED器件取得突破

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學林光楊：硅基IV族半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成及其光電器件

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王新強：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

2025云南晶體大會前瞻|?北京大學孫棟：外爾半導(dǎo)體Te--新一代中紅外半導(dǎo)體器件材料

2025云南晶體大會前瞻| 劉紀美院士：用于集成的硅基III-V器件

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

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