11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開(kāi)。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學(xué)（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)”分論壇，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高校科研院所及知名企業(yè)代表共同深入探討，追蹤最新進(jìn)展。加拿大多倫多大學(xué)納米制造中心主任、教授吳偉東，香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊，香港科技大學(xué)助理教授張薇葭，天津工業(yè)大學(xué)教授、天津市電氣裝備智能控制重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任趙麗霞聯(lián)合主持了該分論壇。
Elison Matioli
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院功率與寬禁帶電子學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室（POWERlab）主任、教授
《面向高性能氮化鎵功率器件：新興解決方案與創(chuàng)新》
鄧高強(qiáng)
電子科技大學(xué)副教授
《p-GaN HEMT功率器件的新型ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)研究》
王茂俊
北京大學(xué)副教授
《基于 p-NiO/p-GaN 異質(zhì)結(jié)柵的增強(qiáng)型 GaN p溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管》
David周
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN首席科學(xué)家
《面向算力中心供電的8英寸功率GaN關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展》
胡培培
中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所副研究員
《關(guān)于高能重離子對(duì)級(jí)聯(lián)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件單事件漏電流退化的影響的研究》
張宇昊
香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授
《面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性》
黃火林
大連理工大學(xué)教授
《氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展》
薛玉雄
揚(yáng)州大學(xué)教授
《柵壓和中子輻照對(duì)P-GaN HEMT重離子誘發(fā)漏電退化的影響研究》
周峰
南京大學(xué)副研究員
《面向空間電源應(yīng)用的高性能氮化鎵功率器件研究》
岡徹
名古屋大學(xué)特聘教授
《基于SPICE 仿真的垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵 MOSFET 性能預(yù)測(cè)與損耗分析》
趙麗霞
天津工業(yè)大學(xué)教授、天津市電氣裝備智能控制重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
《功率半導(dǎo)體器件可靠性及缺陷演化機(jī)制研究》
周琦
電子科技大學(xué)教授
《硅基氮化鎵功率高電子遷移率晶體管的短路能力：可靠性、穩(wěn)定性及最新進(jìn)展》
李昂
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)和納米仿生研究所助理研究員
《基于氫處理技術(shù)的低溫氮化鎵單片集成電路》
張薇葭
香港科技大學(xué)助理教授
《面向高頻低電壓應(yīng)用的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)進(jìn)展》
桑立雯
復(fù)旦大學(xué)教授
《GaN基電子器件熱管理》
劉丹
晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司董事長(zhǎng)兼CEO
《氮化鎵器件“理想伴侶，可靠、高效、易用 增強(qiáng)型氮化鎵智能驅(qū)動(dòng)芯片EGaN Smart-Driver®》
賈漢祥
九峰山實(shí)驗(yàn)室高級(jí)研發(fā)工程師
《CMOS兼容的GaN低溫?zé)o金歐姆接觸工藝》
耿譽(yù)桃
香港科技大學(xué)
《基于互補(bǔ)邏輯的單片集成GaN滯回比較器》
林翰
華南理工大學(xué)
《使用頻率相關(guān)電導(dǎo)和DLTS方法表征原位SiN柵極介質(zhì)的GaN MISHEMTs界面態(tài)》
王民澤
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
《重離子輻照下p型柵GaN HEMT動(dòng)態(tài)電阻退化機(jī)理及改善方法》
會(huì)議期間，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院研究總監(jiān)李小佳主持下，圍繞著“電壓拓展、襯底演進(jìn)與Si/SiC/GaN三足鼎立格局”、“集成化趨勢(shì)下的可靠性挑戰(zhàn)與封裝創(chuàng)新 ”、“國(guó)產(chǎn)GaN如何破局“低端內(nèi)卷”與進(jìn)行戰(zhàn)略布局、“應(yīng)用場(chǎng)景的潛力與差異化設(shè)計(jì)”等主題，香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊， 晶通半導(dǎo)體董事長(zhǎng)劉丹， 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN 首席科學(xué)家Daivd周 ，香港科技大學(xué)助理教授張薇葭 ，大連理工大學(xué)教授黃火林，多倫多大學(xué)納米制造中心主任、教授吳偉東等嘉賓，現(xiàn)場(chǎng)展開(kāi)對(duì)話，臺(tái)上臺(tái)下互動(dòng)，氣氛熱烈。
（會(huì)議內(nèi)容詳情，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號(hào)）
