近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。  期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，西安交通大學(xué)電子學(xué)院院長(zhǎng)助理、副教授李強(qiáng)做了題為“BAlN合金中的相變和帶隙工程”的主題報(bào)告，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)，分享了最新研究成果。報(bào)告指出，采用濺射法制備了高質(zhì)量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性；制備的hBN薄膜可以在大面積上獲得良好的光滑度；濺射制備的hBN薄膜的RS行為首先在Ag/hBN/Al結(jié)構(gòu)中觀察到；由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVB波段實(shí)現(xiàn)高反射；制備了h-BAlN和 w-BAlN，并獲得了相變的證據(jù)。

 

李強(qiáng)，從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國(guó)家授權(quán)發(fā)明專利11項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)，主講國(guó)家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫(xiě)專著1部。

 

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