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南京理工大學微電子學院在SiC功率半導體領(lǐng)域最新研究成果

科研成果 | 氮化物半導體深紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀及應用

AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導體技術(shù)十大進展成果推介

蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制

九峰山實驗室發(fā)布最新成果，一年可為超大型AI算力中心省3億度電

萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展候選成果TOP30推介

全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)——2025年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展候選成果TOP30推介

復旦大學在6G太赫茲通信領(lǐng)域取得重要成果

稀土突破性研究成果發(fā)表

《科技成果轉(zhuǎn)化為標準指南》國家標準發(fā)布

三項AI+VR產(chǎn)業(yè)重要成果在南昌發(fā)布

深圳平湖實驗室兩項成果亮相ICSCRM

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進展！

南科大深港微電子學院高源團隊在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

吉林大學團隊發(fā)表金剛石 n 型摻雜最新成果

國新辦發(fā)布會肯定成都科創(chuàng)成果，實驗室全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點名

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進展

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學術(shù)會議ISPSD2025

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領(lǐng)域取得突破性進展

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術(shù)革新

全國首單高校院所概念驗證保險落地光谷，專保科研成果轉(zhuǎn)化風險最高的“最初一公里”

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

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