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應(yīng)用
銀河微電申請(qǐng)SiCMOSFET板級(jí)封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)
方法
專利，設(shè)計(jì)效率高
評(píng)論 ?
2024-07-04 10:43
晶盛機(jī)電取得晶圓形貌測(cè)量
方法
及設(shè)備專利
評(píng)論 ?
2024-07-03 17:16
三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備
方法
、氮化鎵功率器件”專利公布
評(píng)論 ?
2024-07-03 15:11
芯聚能 “功率模塊的封裝
方法
、裝置和功率模塊”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-07-03 13:59
北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備
方法
專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
評(píng)論 ?
2024-07-01 16:06
CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測(cè)試
方法
》
評(píng)論 ?
2024-06-19 18:36
新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備
方法
”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-06-12 16:15
長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化
方法
專利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度
評(píng)論 ?
2024-06-04 15:48
科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶
方法
評(píng)論 ?
2024-05-06 11:06
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試
方法
》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2024-04-22 15:07
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試
方法
》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2024-04-16 15:54
CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征
方法
評(píng)論 ?
2024-04-15 16:52
北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備
方法
專利，顯著提升器件的光輸出功率
評(píng)論 ?
2024-04-08 19:10
《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試
方法
》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2024-04-07 19:21
鍇威特獲得發(fā)明專利授權(quán)：“一種新型寬禁帶功率半導(dǎo)體器件及其制作
方法
”
評(píng)論 ?
2024-03-29 14:25
大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備
方法
、應(yīng)用”專利公布
評(píng)論 ?
2024-03-29 11:10
一種IGBT結(jié)溫預(yù)測(cè)的
方法
評(píng)論 ?
2024-03-28 20:31
廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)
方法
及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化
評(píng)論 ?
2024-03-28 12:01
清華大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置的制備
方法
、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利
評(píng)論 ?
2024-03-27 14:29
北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備
方法
專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加
評(píng)論 ?
2024-03-26 18:37
華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備
方法
專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗
評(píng)論 ?
2024-03-22 17:30
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成
方法
、存儲(chǔ)器”專利公布
評(píng)論 ?
2024-03-14 17:29
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)晶圓級(jí)封裝
方法
專利，提高晶圓封裝的良率
評(píng)論 ?
2024-03-12 17:52
比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造
方法
以及功率器件專利，能夠提高耐壓值
評(píng)論 ?
2024-03-08 15:13
北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備
方法
專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率
評(píng)論 ?
2024-03-06 10:13
東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造
方法
專利，提供一種氮化鎵器件
評(píng)論 ?
2024-03-05 13:51
揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備
方法
專利
評(píng)論 ?
2024-03-04 17:01
晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備
方法
專利，改善電阻Rc并提高良率
評(píng)論 ?
2024-02-29 11:37
芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備
方法
專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸
評(píng)論 ?
2024-02-28 17:32
士蘭微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“功率半導(dǎo)體器件及其制造
方法
”
評(píng)論 ?
2024-02-26 09:59
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