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長鑫存儲申請半導體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導體設(shè)備”專利公布

智芯微“用于電源監(jiān)測的嵌入式系統(tǒng)、解碼方法和解碼芯片”專利公布

揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

蘇州高視半導體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利，降低晶圓缺陷的檢測成本

華海清科“驅(qū)動機構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進氣管的清洗方法及半導體工藝設(shè)備”專利公布

上海華虹宏力申請接觸孔自對準的MOSFET制造方法專利

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

北理工團隊在擴展光源光能量分布調(diào)控的自由曲面光學設(shè)計方法上取得新進展

格蘭菲申請功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

通富微電“半導體測試系統(tǒng)的控制方法及半導體測試系統(tǒng)”專利公布

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β拾雽w器件的驅(qū)動板和測試方法專利

長宇科技取得一項外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

晶合集成申請一種半導體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導體結(jié)構(gòu)的良率

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運裝置及晶圓搬運方法”

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

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