9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師楊學(xué)林帶來了“Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展”的主題視頻報(bào)告，報(bào)告提出采用Ga空位工程，在Si（111）襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的GaN厚膜。研究了C雜質(zhì)與位錯(cuò)相互作用，獲得高遷移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生電導(dǎo)的產(chǎn)生機(jī)理并提出抑制方法。
嘉賓簡介
楊學(xué)林，近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質(zhì)的摻雜調(diào)控、缺陷影響電子器件可靠性的機(jī)理研究等方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展。在知名期刊上共發(fā)表SCI論文70多篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利10多件。
