隨著AI大模型對算力需求持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸正面臨帶寬、功耗和距離的多重挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)電互連方案在高速場景下已接近物理極限，業(yè)界開始探索新型互連技術路徑。

近期，Micro LED因其低功耗、高并行密度和與CMOS工藝兼容等特性，逐漸進入短距光互連的研究視野。相比電互連，基于Micro LED的光互連方案具備以下優(yōu)勢：全鏈路功耗可低于 1 pJ/bit；單芯片集成數(shù)百個發(fā)光單元，支持 Tbps級聚合帶寬；光信號不受電磁干擾，適合高密度服務器環(huán)境；與CMOS工藝兼容性高。目前，海外已有企業(yè)如Avicena、Credo推進相關產(chǎn)品開發(fā)，部分頭部云廠商和芯片公司也在進行技術評估。

在此背景下，芯元基半導體正式啟動面向光通信應用的Micro LED專項研發(fā)。

作為國內(nèi)較早布局GaN Micro LED的企業(yè)之一，專注于GaN基Micro LED芯片的研發(fā)與制造，建立了全新的技術工藝平臺，支持濕法剝離藍寶石襯底；產(chǎn)品覆蓋AR微顯示、特種照明及新興光通信領域。芯元基在材料、器件和集成方面積累了一定基礎：擁有自主研發(fā)的4–6英寸DPSS GaN外延平臺，位錯密度 <~×10? cm?²；已實現(xiàn) <10μm像素尺寸的藍光Micro LED陣列，發(fā)光波長集中在 420–450nm；單通道調制速率實測超過 8 Gbps，支持獨立尋址；當前正聚焦電流注入效率提升、像素隔離優(yōu)化，并探索與CMOS驅動IC的集成方案。

芯元基技術負責人表示：“我們的目標是開發(fā)適用于光互連場景的‘通信級’GaN光發(fā)射芯片。”

Micro LED光通信仍處于技術驗證階段。全球主要參與者預計在2027年后逐步推進產(chǎn)品落地，相關接口標準尚在制定中。

芯元基此次布局，是公司在顯示與照明之外，向信息傳輸領域的一次技術延伸。后續(xù)將結合產(chǎn)業(yè)需求，穩(wěn)步推進器件性能優(yōu)化與系統(tǒng)協(xié)同驗證。