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攻克多項關(guān)鍵技術(shù)難題,河北這項技術(shù)在第三代半導(dǎo)體材料上“彎道超車”

日期:2024-01-17 來源:半導(dǎo)體照明網(wǎng)閱讀:595
核心提示:位于科技大廈西展廳,700多平方米的河北科技創(chuàng)新展示服務(wù)大廳中,展示著我省百余件最新科技成果,這些展品創(chuàng)新點在哪兒、應(yīng)用場

 位于科技大廈西展廳,700多平方米的河北科技創(chuàng)新展示服務(wù)大廳中,展示著我省百余件最新科技成果,這些展品創(chuàng)新點在哪兒、應(yīng)用場景有哪些?河北省科技成果展示交易中心搭建起云展臺,每日更新介紹展廳內(nèi)的創(chuàng)新展品,方便技術(shù)需求方及社會公眾了解我省創(chuàng)新科技成果。

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今天介紹的創(chuàng)新展品是——河北同光半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)的碳化硅晶片。

河北同光半導(dǎo)體股份有限公司主要進(jìn)行碳化硅單晶襯底的研發(fā)和生產(chǎn),目前已經(jīng)攻克了“高純碳化硅原料合成”“晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制”“籽晶特殊處理”等多個關(guān)鍵技術(shù)難題,掌握了“高品質(zhì)、低缺陷碳化硅單晶襯底”制備技術(shù)并實現(xiàn)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化,產(chǎn)品品質(zhì)比肩國際先進(jìn)水平。

該公司研發(fā)的碳化硅單晶襯底直徑已涵蓋4英寸、6英寸、8英寸等不同尺寸,具有“寬禁帶”“耐擊穿”的特點。

碳化硅晶片根據(jù)電阻率的不同,可分為半絕緣型和導(dǎo)電型兩種。

半絕緣型襯底主要應(yīng)用于微波射頻器件領(lǐng)域,適用于5G通信等高頻、高溫工作環(huán)境。導(dǎo)電型襯底主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域,適用于電動汽車中的逆變器、電機(jī)驅(qū)動器等高溫、高壓工作環(huán)境。

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