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邀請(qǐng)函 | 國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾邀您相聚廈門,共赴IFWS&SSLCHINA 2025

日期:2025-11-07 閱讀:358
核心提示:國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾邀您相聚廈門,共赴IFWS&SSLCHINA 2025

 2025年11月11-14日,年度國(guó)際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)將在廈門召開(kāi)。屆時(shí),北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次盛會(huì)(展位號(hào):A58),并誠(chéng)摯邀請(qǐng)行業(yè)專家學(xué)者、業(yè)界同仁蒞臨現(xiàn)場(chǎng),進(jìn)行深入的交流與探討。

同時(shí),北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)部高級(jí)經(jīng)理王帥將在“化合物半導(dǎo)體射頻電子技術(shù)分會(huì)”上,發(fā)表《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》主題演講。詳情如下:

北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司

企業(yè)簡(jiǎn)介

北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司成立于2015年,是中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(中電十三所)下屬上市公司“中瓷電子:003031”的全資子公司。公司位于北京市順義區(qū)文良街15號(hào),占地面積47.2畝,建筑面積7.1萬(wàn)平方米。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,同時(shí)開(kāi)展第三代半導(dǎo)體封裝、模塊、科技服務(wù)等業(yè)務(wù)。公司主導(dǎo)產(chǎn)品氮化鎵射頻功放芯片產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先,并已在世界主流通信公司得到規(guī)模應(yīng)用,累計(jì)發(fā)貨突破2億只;碳化硅 MOSFET產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn),并已在新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域開(kāi)始大批量應(yīng)用,累計(jì)發(fā)貨突破5萬(wàn)只。 

公司擁有國(guó)家“雙創(chuàng)”支撐平臺(tái)、眾創(chuàng)空間、中關(guān)村硬科技孵化平臺(tái)、北京市科技企業(yè)孵化器等資質(zhì),是國(guó)家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)中心(北京)主要建設(shè)和運(yùn)營(yíng)主體單位。2023年,國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾和中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院控股上市公司“中瓷電子”重組成功,獲得募集資金將建設(shè)和開(kāi)展“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”和“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”,進(jìn)一步補(bǔ)充芯片及模塊產(chǎn)能,推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,成為國(guó)際一流的第三代半導(dǎo)體骨干企業(yè)。

 企業(yè)圖

主題演講

王帥

王帥

北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)部高級(jí)經(jīng)理

·演講題目

SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)

GaN-on-SiC RF and Power Electronics Chip Technologies

·會(huì)議名稱:化合物半導(dǎo)體射頻電子技術(shù)分會(huì)

·演講時(shí)間:2025年11月13日 10:00-10:20

·演講地點(diǎn):泰地萬(wàn)豪酒店·二層 · 大宴會(huì)廳1

 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

01.  SiC SBD 電力電子芯片

SiC SBD 電力電子芯片 

SIC二極管芯片,高溫高效,助力新能源與工業(yè)應(yīng)用,性能卓越。

SIC diode chips excel in high-temperature and high-efficiency performance, powering new energy and industrial applications. 

02.  SiC MOS 電力電子芯片

SiC MOS 電力電子芯片2

SIC MOS芯片,高頻高效,開(kāi)關(guān)損耗低,是提升系統(tǒng)功率密度的關(guān)鍵。

SIC MOS chips offer high-frequency operation,high efficiency, and low switching loss, key to boosting system power density. 

03.  金屬陶瓷封裝用大功率GaN HEMT芯片

GaN HEMT芯片3

射頻GaN HEMT,高功率、高頻率,為5G與雷達(dá)提供核心動(dòng)力。

RF GaN HEMT delivers high power and high frequency,serving as the core engine for 5G and radar systems.

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