近日，研微（江蘇）半導體科技有限公司（下文簡稱“研微半導體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機構。公司成立3年已有多臺設備通過Fab廠驗證，募集資金將用于未來研發(fā)投入及擴充團隊。

「研微半導體」成立于 2022 年，坐落于無錫經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售具有自主知識產(chǎn)權且具備國際競爭力的半導體設備，專注于原子層沉積（ALD)、 Si 外延沉積（SI EPI）、等離子體化學氣相沉積（PECVD）、SiC 外延（SiC EPI）以及原子層刻蝕（ALE）等設備及工藝技術的研發(fā)。

公司的目標是解決高端芯片制造中沉積和刻蝕技術的難題，引領更先進的沉積和刻蝕設備技術，同時與上下游產(chǎn)業(yè)鏈緊密合作齊步向前，助力中國半導體產(chǎn)業(yè)的加速騰飛。

隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結構要求的不斷提高，ALD 技術憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、臺階覆蓋率極高、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢，特別適合在對薄膜質(zhì)量和臺階覆蓋率有較高要求的領域應用，在 45nm 以下節(jié)點、先進封裝、3D結構等半導體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。

「研微半導體」目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領域，市場份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導體在最前沿半導體技術競爭中建立優(yōu)勢，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。