近日，年度國際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會——第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門隆重召開，本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學(xué)（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇以“鏈通全球·芯動未來”為主題，匯聚全球頂級精英，技術(shù)與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導(dǎo)體照明和第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)、技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)趨勢。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼受邀參會，并在“化合物半導(dǎo)體射頻電子技術(shù)”分會上帶來了《先進(jìn)氮化鎵制造中心支持射頻產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展》的主題報(bào)告，分享了技術(shù)應(yīng)用與市場發(fā)展?fàn)顩r、先進(jìn)工藝推動技術(shù)前沿、MMIC鑄造服務(wù)等內(nèi)容。氮化鎵非常適合于制造5G毫米波射頻前端集成，比如高效寬帶功率放大器、大功率寬帶射頻開關(guān)、高可靠寬帶低噪聲放大器、高功率限幅器等。國際電聯(lián)全球移動數(shù)據(jù)流量預(yù)測，總體移動數(shù)據(jù)流量預(yù)計(jì)，2020-2030年的年增長率約為55%，到2030年將達(dá)到5016 EB。

報(bào)告中介紹了能訊的先進(jìn)的GaN外延技術(shù)、高電子遷移率GaN HEMT、無源器件、DG25有源器件、低插入損耗高隔離射頻開關(guān)、基于PDK的鑄造服務(wù)支持、三維熱分析模型、基于物理的大信號建模等。其DG2503平臺LNA器件可以承受25W/mm的輸入功率功率沖擊，較GaAs優(yōu)勢顯著。低壓射頻GaN工藝已與全球領(lǐng)先的移動智能終端廠商射頻團(tuán)隊(duì)展開合作，共同推動能訊低壓射頻氮化鎵工藝平臺規(guī)?；慨a(chǎn)?；诮Y(jié)熱調(diào)控的低界面熱阻異質(zhì)集成與熱管理優(yōu)化新技術(shù)，解決高功率器件的異質(zhì)集成和結(jié)區(qū)熱點(diǎn)(hotspot)問題。DG1502平臺1 mm柵寬開關(guān)器件可通過45W功率,FOM值小。

因卓越的產(chǎn)品和服務(wù)榮膺由兩大論壇聯(lián)合頒發(fā)的“器件設(shè)計(jì)與制造年度推薦品牌”獎，彰顯了公司在器件設(shè)計(jì)與制造的競爭優(yōu)勢。 

關(guān)于蘇州能訊

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山高新區(qū)，是國內(nèi)領(lǐng)先的射頻氮化鎵（GaN）芯片制造服務(wù)商。公司自主研發(fā)構(gòu)筑了完整的氮化鎵功率芯片技術(shù)體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、 0.15μm、0.1μm工藝制程能力。豐富的射頻產(chǎn)品線覆蓋了電信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源、消費(fèi)電子及各類通用市場的應(yīng)用，為衛(wèi)星通信、移動終端、氣象雷達(dá)、寬頻帶通信等射頻領(lǐng)域提供高效高功率半導(dǎo)體解決方案。