MicroLED憑借無(wú)機(jī)自發(fā)光特性，在亮度、壽命、柔性顯示等方面優(yōu)勢(shì)顯著，正逐步成為高端顯示領(lǐng)域的重要方向，尤其在AR眼鏡、車(chē)載顯示、超高清電視等場(chǎng)景中潛力突出。有數(shù)據(jù)顯示，2024年全球AR微顯示屏市場(chǎng)規(guī)模達(dá)18億美元，預(yù)計(jì)2030年將突破120億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超35%。

近日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門(mén)召開(kāi)。 

期間，蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司孫正霖在“2025海上絲綢之路國(guó)際產(chǎn)學(xué)研用合作會(huì)議光電技術(shù)與未來(lái)顯示分會(huì)暨M(jìn)ini/Micro-led技術(shù)應(yīng)用大會(huì)”上帶來(lái)了《3DIC 異質(zhì)集成：超越摩爾極限，開(kāi)啟AI+AR的核心密碼》的主題報(bào)告，分享了3DIC 異質(zhì)集成、漢驊MicroLED制程、“超越摩爾 GaN Plus” 先進(jìn)半導(dǎo)體平臺(tái)等內(nèi)容。

AR設(shè)備發(fā)展面臨性能與形態(tài)的“不可能三角”，導(dǎo)致“性能-形態(tài)-體驗(yàn)”難以平衡。隨著集成技術(shù)突破，AR設(shè)備將逐步解決“重、熱、續(xù)航短”等問(wèn)題，未來(lái)在工業(yè)遠(yuǎn)程協(xié)作、醫(yī)療輔助診斷、消費(fèi)級(jí)娛樂(lè)等場(chǎng)景的應(yīng)用潛力將進(jìn)一步釋放，成為“突破現(xiàn)實(shí)”的關(guān)鍵交互載體。3D封裝通過(guò)“垂直空間利用”突破2D平面集成的物理限制，解決傳統(tǒng)封裝中“性能-功耗-形態(tài)”的矛盾，是芯片小型化、高性能化的核心技術(shù)路徑，廣泛應(yīng)用于AI芯片、移動(dòng)設(shè)備、存儲(chǔ)器等領(lǐng)域，推動(dòng)集成電路向更高維度集成發(fā)展。

3D IC混合鍵合工藝的核心優(yōu)勢(shì)包括可實(shí)現(xiàn)3~10微米的超細(xì)間距，降低寄生效應(yīng)并提升均勻性；與后端制程（BEOL）兼容，支持高速信號(hào)傳輸；熱阻更低，有助于提升芯片散熱效率。該工藝通過(guò)金屬-金屬直接鍵合，避免傳統(tǒng)焊錫凸點(diǎn)的工藝限制（如小尺寸焊錫凸點(diǎn)易疲勞、缺陷率高等），為3D IC的高密度集成、低延遲互連提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。GaN MicroLEDs混合鍵合技術(shù)通過(guò)晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)鍵合實(shí)現(xiàn)微米級(jí)尺寸MicroLED（1-50微米）與驅(qū)動(dòng)CMOS的高密度集成，相比傳統(tǒng)LED（數(shù)百微米），可實(shí)現(xiàn)像素尺寸＜10微米，支持垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，適用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）及元宇宙微型顯示等場(chǎng)景，推動(dòng)顯示器件向小型化、高分辨率方向發(fā)展。

漢驊半導(dǎo)體在MicroLED技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)突破，2022年推出全球最小金屬鍵合線(xiàn)單色綠光MicroLED Demo，像素密度突破1000PPI，解決小尺寸MicroLED的電極擴(kuò)展與發(fā)光均勻性難題；2023年發(fā)布最小綠光微顯示屏Demo，實(shí)現(xiàn)全球最小金屬鍵合線(xiàn)（2μm）單色綠光MicroLED集成；2024年完成MicroLED GaN紅光微顯示屏產(chǎn)線(xiàn)全面升級(jí)至8英寸制程，并同年11月發(fā)布基于hybrid bonding路線(xiàn)的8英寸硅基GaN MicroLED紅光微顯示屏，實(shí)現(xiàn)紅光波段高效外延與異構(gòu)集成，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域技術(shù)空白。

報(bào)告顯示，“超越摩爾 GaN Plus”先進(jìn)半導(dǎo)體平臺(tái)以“材料創(chuàng)新”與“先進(jìn)工藝”雙輪驅(qū)動(dòng)，構(gòu)建半導(dǎo)體技術(shù)新紀(jì)元。其核心架構(gòu)圍繞“集成橋梁”與“光源核心”展開(kāi)，通過(guò)hybrid bonding（混合鍵合）、金屬鍵合、多層堆疊等先進(jìn)工藝，結(jié)合8英寸硅基GaN外延技術(shù)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的高效集成與性能突破。該平臺(tái)聚焦材料與工藝協(xié)同創(chuàng)新，為MicroLED、功率器件等前沿領(lǐng)域提供底層技術(shù)支撐，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高集成度、更低功耗方向發(fā)展。

平臺(tái)以“共同定義未來(lái)”為理念，聯(lián)合行業(yè)領(lǐng)袖構(gòu)建戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，推動(dòng)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)深度融合。應(yīng)用生態(tài)覆蓋消費(fèi)電子（輕便元宇宙入口設(shè)備）、工業(yè)制造（遠(yuǎn)程專(zhuān)家指導(dǎo)、精密裝配）、醫(yī)療健康（手術(shù)導(dǎo)航、醫(yī)學(xué)影像實(shí)時(shí)疊加）、教育培訓(xùn)（沉浸式互動(dòng)教學(xué)）等領(lǐng)域，重塑行業(yè)無(wú)限可能。

未來(lái)‌將深化AR微顯示解決方案，并拓展至車(chē)載激光雷達(dá)領(lǐng)域。推進(jìn)12英寸工藝平臺(tái)研發(fā)，將集成密度與性能提升一個(gè)數(shù)量級(jí)。將“GaN + 3DIC”平臺(tái)拓展至生物傳感、量子計(jì)算芯片等更前沿的領(lǐng)域。

企業(yè)簡(jiǎn)介

漢驊半導(dǎo)體2017年由長(zhǎng)三角國(guó)創(chuàng)中心與蘇州工業(yè)園區(qū)作為基石投資人，與創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)三方共同發(fā)起，是我國(guó)首次采用“撥投結(jié)合”創(chuàng)新方式支持前瞻性、顛覆性、引領(lǐng)性的重大研發(fā)項(xiàng)目。漢驊凝聚了海內(nèi)外頂尖半導(dǎo)體創(chuàng)新力量，擁有橫跨寬禁帶半導(dǎo)體材料和大規(guī)模集成電路的深厚技術(shù)儲(chǔ)備、國(guó)際視野及工業(yè)界經(jīng)驗(yàn)，積累了體系化且貫穿產(chǎn)業(yè)鏈上下游的關(guān)鍵半導(dǎo)體研發(fā)及制備技術(shù)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，漢驊擁有完整4/6/8英寸兼容高端氮化鎵材料大型量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，及國(guó)內(nèi)首條8英寸常溫晶圓級(jí)3DIC混合集成量產(chǎn)線(xiàn)（兼容集成電路、MEMS、化合物半導(dǎo)體等工藝）。是國(guó)內(nèi)唯一集高端氮化鎵材料技術(shù)與3DIC?Hybrid?Bonding先進(jìn)芯片集成技術(shù)雙輪創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的國(guó)際頂尖先進(jìn)半導(dǎo)體基地。

（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，僅供參考）