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標準 | 11項GaN/SiC功率器件標準修訂形成委員會草案

香港大學張宇昊：面向系統(tǒng)應用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性

南京大學周峰：面向空間電源應用的高性能氮化鎵功率器件研究進展

全球首發(fā)量產8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件

報告前瞻|清連科技賈強：功率器件封裝用納米金屬全燒結方案與挑戰(zhàn)

博睿光電梁超：面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化

鎵仁半導體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

東微半導體與晶湛半導體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市

碳化硅功率器件的性能與應用前景-國晶微半導體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

新潔能延期包括第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目（一期）首臺設備提前搬入

西交利物浦大學劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學學位）

斯達半導體車規(guī)級功率器件全球制造總部項目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團隊首次在功率器件領域國際頂級學術會議發(fā)表論文

CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

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