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標(biāo)準(zhǔn) | 11項GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會草案

香港大學(xué)張宇昊：面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性

南京大學(xué)周峰：面向空間電源應(yīng)用的高性能氮化鎵功率器件研究進(jìn)展

全球首發(fā)量產(chǎn)8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件

報告前瞻|清連科技賈強：功率器件封裝用納米金屬全燒結(jié)方案與挑戰(zhàn)

博睿光電梁超：面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

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碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應(yīng)用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入

西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學(xué)學(xué)位）

斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級功率器件全球制造總部項目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團(tuán)隊首次在功率器件領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)會議發(fā)表論文

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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