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CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測(cè)試方法》

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

鍇威特獲得發(fā)明專利授權(quán)：“一種新型寬禁帶功率半導(dǎo)體器件及其制作方法”

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

清華大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器”專利公布

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)晶圓級(jí)封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

士蘭微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“功率半導(dǎo)體器件及其制造方法”

武漢新芯“半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利公布

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中芯國(guó)際“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

中國(guó)西電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“基于大容量電力電子開關(guān)施加故障電流裝置及試驗(yàn)方法”

長(zhǎng)電科技申請(qǐng)光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

盛美上海申請(qǐng)預(yù)濕腔內(nèi)外氣壓平衡控制裝置及方法專利

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件專利

臺(tái)積電取得清潔半導(dǎo)體襯底的方法專利

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