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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國(guó)東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長(zhǎng)研究進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛(ài)爾蘭丁達(dá)爾國(guó)家研究所李智：通過(guò)微轉(zhuǎn)印實(shí)現(xiàn)微型LED的高級(jí)集成

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

ABM全自研光刻機(jī)量產(chǎn)項(xiàng)目落戶(hù)順德北滘

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雷軍談造芯：十年投五百億自研手機(jī)芯片

半導(dǎo)體所/長(zhǎng)光所/國(guó)創(chuàng)中心(蘇州)/中電科48所&18所/昆明物理所/甬江實(shí)驗(yàn)室/賽迪研究院等專(zhuān)家邀共聚2025云南晶體大會(huì)！

芯屏并舉，粵啟新程 | 中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開(kāi)工

中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開(kāi)工

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長(zhǎng)研究新進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|仕佳光子黃永光：CW DFB激光器研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測(cè)用半導(dǎo)體單晶材料研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

英科迪微電子完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資，研發(fā)半導(dǎo)體顯示控制芯片

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽(yáng)：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

成功舉辦！第三屆無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)超200+人與會(huì)！線(xiàn)上直播觀看…

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類(lèi)半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂(lè)：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

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