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碳化硅功率器件公司至信微電子獲深重投及深高新投投資

長飛光學與半導體石英元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目封頂

聯(lián)合攻關成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

91.9萬人次參與投票，“2023年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”專家評審進行中

量子半導體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應

江蘇誠盛科技麒思大功率器件項目發(fā)布今年量產(chǎn)

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

投資9億元！誠盛科技—麒思大功率器件項目8月量產(chǎn)

華為公司申請功率器件專利，提高半導體器件的可靠性

北京大學申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

華南師范大學王幸福：GaN微納結(jié)構及其光電子器件研究

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級大功率UVC-LED器件實驗室效率破9.5%

西安新增一個大功率電力半導體器件及新型功率器件產(chǎn)業(yè)化項目

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

香港中文大學（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

比亞迪半導體申請半導體器件終端結(jié)構、制備方法及半導體器件專利

中芯集成-U取得半導體器件專利，可更為精確控制電極材料層消耗量

中科光芯高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項目正式啟動

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

700+入圍企業(yè)揭曉，“2023年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段

益中封裝擴建車規(guī)Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線

中國科學院半導體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工線項目通線投產(chǎn) 總投資10億元

中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

北京大學申請半導體器件結(jié)構專利

南京大學莊喆：基于外延層殘余應變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

廈門大學張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

中國科學院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術發(fā)明一等獎

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