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現代汽車解散半導體戰(zhàn)略部門，原計劃自研5nm芯片

從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項目成功通線

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導體5G射頻濾波器芯片晶圓產線項目投產

總投資10億元，民翔半導體存儲項目一期投產！

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內部應力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

Science：AI驅動閉環(huán)設計，加速高性能有機半導體材料發(fā)現

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導體項目，明年開工建設

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

總投資1.2億湖州奕富半導體研磨裝備國產化項目簽約，

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補貼，將建設美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結構相關專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現高頻能力

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

博世獲16億元補貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產基地項目首批設備正式進場

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