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電子科技大學羅小蓉教授團隊：具有擴展p-NiO柵極場板的超低導通電阻高壓β-Ga?O? MOSFET

長晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET

瞻芯電子曹峻：新能源汽車用碳化硅MOSFET與可靠性研究

萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產業(yè)化技術——2025年度中國第三代半導體技術十大進展候選成果TOP30推介

標準 |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗方法》立項

Wolfspeed宣布推出車規(guī)級1200V系列分立式碳化硅MOSFET

Wolfspeed宣布推出工業(yè)級1200V系列分立式碳化硅MOSFET

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅動器綜述

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預測和損耗分析

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|加拿大多倫多大學吳偉東：一種具備自動時序功能適用于碳化硅功率MOSFET的智能動態(tài)柵極驅動器

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

Wolfspeed推出第四代1200V車規(guī)級裸芯片碳化硅MOSFET

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用，贏得市場認可

羅姆碳化硅 MOSFET 裸芯片獲豐田 bZ5 電動汽車牽引逆變器應用

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

Wolfspeed 1700V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態(tài)特性測試方法》立項

瞻芯電子與浙江大學聯合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術革新

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|山東大學劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產品研制進展

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

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