長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平16.6%，系統(tǒng)損耗和溫升得到大幅改善?？傮w來看，長(zhǎng)晶科技SGT Gen2.0系列產(chǎn)品的性能已經(jīng)達(dá)到國(guó)際一線廠商水平。

產(chǎn)品介紹

基于長(zhǎng)晶科技SGT Gen2.0的工藝，針對(duì)PC電腦30V MOSFET的應(yīng)用，長(zhǎng)晶科技布局開發(fā)了一系列產(chǎn)品。其中CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL上下管搭配有明顯優(yōu)勢(shì)。

（應(yīng)用在紅色框部分）

CJAC6R8SN03AL：采用SGT工藝，PDFNWB5×6封裝。在10V/20A條件下，Rds(on)僅有5.4mΩ，較小的Ciss以及Qrr，可以極大降低開關(guān)損耗，適用于高效率快速開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。

CJAC2R8SN03AL：采用SGT工藝，PDFNWB5×6封裝。在10V/20A條件下，Rds(on)僅有2.2mΩ，較小的導(dǎo)通內(nèi)阻，可以極大降低導(dǎo)通損耗，降低器件的溫升。

參數(shù)對(duì)比

整體來看，長(zhǎng)晶科技的技術(shù)對(duì)標(biāo)國(guó)際一流，且產(chǎn)品在關(guān)鍵性能上找到了最佳平衡點(diǎn)。在保持超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的同時(shí)，顯著降低了柵極電荷（Qg），兼具了低損耗與高速度。

系統(tǒng)表現(xiàn) 

將長(zhǎng)晶產(chǎn)品和競(jìng)品分別放在BUCK 系統(tǒng)評(píng)估板，進(jìn)行系統(tǒng)評(píng)估，結(jié)果如下表列示。

（測(cè)試條件Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，F(xiàn)sw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃）

在實(shí)際應(yīng)用測(cè)試中，系統(tǒng)整體效率達(dá)到85.17%。相較于同類型競(jìng)品，能效提升幅度分別為0.59%、1.13%、1.63%，成功達(dá)成行業(yè)領(lǐng)先的能效水平。通過優(yōu)化產(chǎn)品的熱管理設(shè)計(jì)和參數(shù)，在滿載運(yùn)行的條件下，核心器件的溫升明顯降低。其中，上管溫升較競(jìng)品分別降低1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管溫升較競(jìng)品分別降低1.9℃、4.9℃、6.9℃，顯著增強(qiáng)了系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行的可靠性，并有效延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期。 

相較于參照競(jìng)品，長(zhǎng)晶科技SGT Gen2.0系列產(chǎn)品系統(tǒng)表現(xiàn)優(yōu)于競(jìng)品，系統(tǒng)效率最高，溫升最低。

（來源：長(zhǎng)晶科技）